一種InGaAsP四元系材料分子束外延生長(zhǎng)的定標(biāo)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910845381.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110527975B 公開(kāi)（公告）日 2020-12-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110527975B 申請(qǐng)公布日 2020-12-18
分類號(hào) C23C16/30;C23C16/52;H01L21/02 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 馮巍;謝小剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InGaAsP四元系材料分子束外延生長(zhǎng)的定標(biāo)方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該定標(biāo)方法包括：對(duì)InxGa1?xP中的多個(gè)不同組分配比x分別進(jìn)行定標(biāo)生長(zhǎng)，獲取對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一參數(shù)；根據(jù)第一預(yù)定算法，得到x與第一參數(shù)之間的第一關(guān)系；對(duì)InAsyP1?y中的多個(gè)不同組分配比y分別進(jìn)行定標(biāo)生長(zhǎng)，獲取對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二參數(shù)；根據(jù)第二預(yù)定算法，得到y(tǒng)與第二參數(shù)之間的第二關(guān)系；針對(duì)Inx，Ga1?x’Asy，P1?y’，根據(jù)第一和第二關(guān)系，確定對(duì)應(yīng)的外延生長(zhǎng)條件參數(shù)。通過(guò)分別對(duì)III族和V族元素的多個(gè)不同組分配比進(jìn)行定標(biāo)生長(zhǎng)，獲取對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)條件參數(shù)，以獲得組分配比與生長(zhǎng)條件參數(shù)之間的關(guān)系，針對(duì)Inx，Ga1?x’Asy，P1?y’，可根據(jù)所述關(guān)系直接確定外延生長(zhǎng)條件參數(shù)，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。