一種高電子遷移率器件外延生長(zhǎng)工藝參數(shù)的優(yōu)化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110596527.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113035697A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035697A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L21/203;H01L21/66;H01L21/335;H01J37/32;C30B23/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭帥;馮巍;杜全鋼;謝小剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215151 江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高電子遷移率器件外延生長(zhǎng)工藝參數(shù)的優(yōu)化方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在預(yù)設(shè)加熱功率比下進(jìn)行分子束外延生長(zhǎng)，以獲得高電子遷移率器件外延片；測(cè)量跨整個(gè)外延片的光致發(fā)光半峰全寬二維圖譜；識(shí)別二維圖譜中的分界線，并計(jì)算分界距離；根據(jù)加熱功率比與分界距離之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定下一次進(jìn)行外延生長(zhǎng)時(shí)所采用的加熱功率比。通過(guò)獲取測(cè)試樣品的光致發(fā)光半峰全寬二維圖譜，進(jìn)而獲得對(duì)應(yīng)的分界距離，然后根據(jù)加熱功率比與分界距離之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算獲得經(jīng)優(yōu)化的加熱功率比，實(shí)現(xiàn)了加熱功率比的快速優(yōu)化調(diào)整，避免了重復(fù)多次試驗(yàn)所帶來(lái)的襯底及設(shè)備機(jī)時(shí)的消耗，提高了生產(chǎn)效率，并降低了生產(chǎn)成本。