一種GaAs基DBR外延材料結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020540978.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211789981U 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN211789981U 申請公布日 2020-10-27
分類號 H01S5/183(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭帥;馮巍 申請（專利權(quán)）人 新磊半導體科技（蘇州）股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種GaAs基DBR外延材料結(jié)構(gòu)，涉及半導體制造技術(shù)領域。該結(jié)構(gòu)包括：GaAs襯底；在襯底上的緩沖層；在緩沖層上的AlGaAs過渡層；在過渡層上的AlGaAs/GaAs系DBR層；過渡層為Al組分從第一值至第二值漸變的AlxGa1?xAs漸變層，第一值小于第二值，DBR層中的前至少一對AlGaAs/GaAs層的Al組分值大于第二值。通過在緩沖層上設置漸變層，使得用于生長DBR層的表面的晶格常數(shù)從GaAs過渡為具有第二值組分的AlGaAs的晶格常數(shù)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)DBR層的應力平衡，大幅降低甚至消除生長DBR層時導致的外延片翹曲。??