一種分子束外延設(shè)備中襯底溫度的確定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110518840.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113252195A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113252195A 申請公布日 2021-08-13
分類號 G01K7/02（2021.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 郭帥;馮巍;杜全鋼;謝小剛 申請（專利權(quán)）人 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種分子束外延設(shè)備中襯底溫度的確定方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：建立用于表示熱電偶的實測溫度與襯底的實際溫度之間關(guān)系的線性溫度模型；計算確定常數(shù)a；獲取襯底氧化層脫附時的熱電偶溫度T；計算確定常數(shù)b；計算確定在熱電偶的任一實測溫度下對應(yīng)的襯底的實際溫度。通過在分子束外延設(shè)備中設(shè)置兩個熱電偶，同時利用兩個熱電偶的實測溫度及襯底的實際脫附溫度對模型進(jìn)行求解，然后基于模型和熱電偶的實測溫度來計算襯底的實際溫度。本方法僅需要提供襯底的氧化層脫附溫度即可建立熱電偶實測溫度與襯底實際溫度之間的關(guān)系模型，避免在模型中引入與測試條件相關(guān)的其他因素，能夠?qū)崿F(xiàn)襯底的實際溫度的高精度測量。