具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件及其制備方法以及清洗方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110356878.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113201718A | 公開(公告)日 | 2021-08-03 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113201718A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-03 |
分類號(hào) | C23C14/35;C23C14/08;C23G1/12;C23G1/10;C23G1/08;C23C14/56 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 胡明珠;朱峰;熊志紅;陳明;楊春雷;彭燕君;武雙元 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳仕上電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳中細(xì)軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 田麗麗 |
地址 | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新和社區(qū)暉信工業(yè)園B棟廠房1層2層、4層,C棟廠房1層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件及其制備方法以及清洗方法,具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件,包括鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件和形成于所述鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件表面的犧牲層,所述犧牲層的材料為ZnO,所述犧牲層在清洗過(guò)程中被去除。對(duì)被雜質(zhì)層污染后的所述具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件用酸清洗劑進(jìn)行清洗,所述清洗過(guò)程中,所述雜質(zhì)層和所述犧牲層均被去除,得到清洗后的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件。本發(fā)明的清洗方法付不僅能夠清除掉雜質(zhì)層,同時(shí)不傷害原有鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件。 |
