具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構件及其制備方法以及清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110356876.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113235064A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113235064A 申請公布日 2021-08-10
分類號 C23C14/56;B05D7/24;C23C14/22;C23G1/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 武雙元;朱峰;熊志紅;陳明;楊春雷;胡明珠;王偉;韓燕坤;彭燕君 申請（專利權）人 深圳仕上電子科技有限公司
代理機構 深圳中細軟知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 田麗麗
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新和社區(qū)暉信工業(yè)園B棟廠房1層2層、4層,C棟廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構件及其制備方法以及清洗方法，具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構件，包括鍍腔內(nèi)壁構件和形成于所述鍍腔內(nèi)壁構件表面的犧牲層，所述犧牲層在清洗過程中被去除。對被雜質層污染后的所述具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構件用酸清洗劑進行清洗，所述清洗過程中，所述雜質層和所述犧牲層均被去除，得到清洗后的鍍腔內(nèi)壁構件。本發(fā)明的清洗方法付不僅能夠清除掉雜質層，同時不傷害原有鍍腔內(nèi)壁構件。