一種多晶硅線痕片的制絨方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210576671.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103035780A | 公開(公告)日 | 2013-04-10 |
申請公布號 | CN103035780A | 申請公布日 | 2013-04-10 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 許穎;武濤;趙釗;陳招銀;鄭煒 | 申請(專利權(quán))人 | 太陽能光伏北京市工程研究中心有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京紐樂康知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 秦月貞 |
地址 | 101102 北京市通州區(qū)金橋科技產(chǎn)業(yè)基地景盛南四街19號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種多晶硅線痕片的制絨方法,包括以下步驟:(1)在8℃~10℃恒溫槽內(nèi)配制硝酸和氫氟酸的混合溶液,該混合溶液為制絨液;(2)將多晶硅線痕片進(jìn)行裝載,然后在制絨液中制絨清洗,清洗1~3分鐘;(3)制絨清洗后,將多晶硅線痕片依次進(jìn)行純水清洗、堿洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程,然后將硅片在溫度為40℃的空氣下烘干,最后將硅片卸載,得到制絨后的硅片。本發(fā)明的有益效果為:工藝過程簡單,便于操作,使用拋光和制絨一步處理,大大縮短了制絨反應(yīng)時間,同時處理后的多晶硅線痕片表面形成均勻絨面,有效去除了切割所產(chǎn)生的線痕,有利于提高太陽能電池的工作效率,提高了電池的吸光能力。 |
