一種近紅外LED外延結(jié)構(gòu)制作方法及外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111660695.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114335265A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114335265A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類(lèi)號(hào) H01L33/00（2010.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B29/42（2006.01）I;C30B29/44（2006.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/30（2010.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張祥;蔡和勛;馬英杰;伏兵;許宗琦 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 揚(yáng)州乾照光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 耿苑
地址 225101江蘇省揚(yáng)州市下圩河路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種近紅外LED外延結(jié)構(gòu)制作方法及外延結(jié)構(gòu)，該制作方法包括：在襯底表面依次形成N型層、發(fā)光層、P型層、過(guò)渡層以及歐姆接觸層，歐姆接觸層為GaP層，P型層包括P型限制層和P型窗口層，P型窗口層為AlxGa1?xAs層；過(guò)渡層包括第一過(guò)渡層和第二過(guò)渡層，第一過(guò)渡層為Al組分含量沿背離襯底表面方向從x均勻減小為0的AlyGa1?yAs層；第二過(guò)渡層為P組分含量沿背離襯底表面方向從0均勻增加為1的GaAs1?zPz層，從而使得過(guò)渡層能夠穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)P型窗口層到歐姆接觸層的晶格與帶隙的過(guò)渡，有助于提高近紅外LED的工作性能，并使得過(guò)渡層與P型窗口層以及歐姆接觸層實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸。