一種LED芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110757390.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113299808B 公開（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299808B 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L33/20（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙鵬;徐洲;馬英杰;蔡和勛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州乾照光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 225101江蘇省揚(yáng)州市下圩河路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種LED芯片及其制備方法，該LED芯片為反極性LED芯片，包括第一襯底和位于第一襯底表面的疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)沿背離第一襯底的方向包括：歐姆接觸層、發(fā)光層和介質(zhì)層，發(fā)光層位于歐姆接觸層背離第一襯底的表面上，發(fā)光層中與歐姆接觸層接觸的第一型半導(dǎo)體層包括沿背離第一襯底的方向依次排布的第一子層和第二子層，且第一子層的摻雜濃度大于第二子層的摻雜濃度，即第一子層為重?fù)诫s層；歐姆接觸層和第一子層組成的疊層具有凹槽，該凹槽貫穿歐姆接觸層，并至少貫穿部分第一子層，以減少重?fù)诫s的第一子層對(duì)光的吸收，并且，填充所述凹槽的介質(zhì)層對(duì)光的吸收小于第一子層對(duì)光的吸收，從而提高該反極性LED芯片的發(fā)光亮度。