一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011278124.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112397997A | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請公布號 | CN112397997A | 申請公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號 | H01S5/125(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 童吉楚;徐楓;謝昆江 | 申請（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州乾照光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 駱宗力 |
| 地址 | 225101江蘇省揚(yáng)州市下圩河路8號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法，在增加了半導(dǎo)體激光器所包括的量子阱數(shù)量的同時(shí)，設(shè)置第i量子阱層中InGaAs阱層的In組分大于第i+1量子阱層中InGaAs阱層的In組分，由于InGaAs阱層的折射率隨著In組分的升高而增加，進(jìn)而能夠?qū)Π雽?dǎo)體激光器的光場限制，使得半導(dǎo)體激光器的發(fā)光點(diǎn)位置偏向襯底側(cè)，有效降低半導(dǎo)體激光器的發(fā)散角。?? |
