一種LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210162936.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114530533A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114530533A 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 伏兵;李曉靜;趙鵬;馬英杰;蔡和勛 申請（專利權(quán)）人 揚(yáng)州乾照光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 225101江蘇省揚(yáng)州市下圩河路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種LED芯片及其制備方法，將第二電極遮擋區(qū)域的至少歐姆接觸層和部分第一型半導(dǎo)體層組成的疊層被至少部分刻蝕掉，形成凹槽，從而至少能夠減少電流從第二電極遮擋區(qū)域的歐姆接觸層和部分第一型半導(dǎo)體層流入第二電極遮擋區(qū)域的有源層中，即減少電流橫向擴(kuò)展到第二電極遮擋區(qū)域的有源層中，進(jìn)而減少第二電極遮擋區(qū)域的有源層發(fā)光，實(shí)現(xiàn)減小產(chǎn)熱，降低結(jié)溫，提高LED芯片的電光轉(zhuǎn)換效率的目的，同時(shí)也可以使得電流更多地?cái)U(kuò)展到?jīng)]有被第二電極遮擋的有源層中，進(jìn)一步提高LED芯片的電光轉(zhuǎn)換效率。