一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011278124.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112397997B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN112397997B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01S5/125;H01S5/343;H01S5/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 童吉楚;徐楓;謝昆江 申請（專利權(quán)）人 揚州乾照光電有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 駱宗力
地址 225101 江蘇省揚州市下圩河路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法，在增加了半導(dǎo)體激光器所包括的量子阱數(shù)量的同時，設(shè)置第i量子阱層中InGaAs阱層的In組分大于第i+1量子阱層中InGaAs阱層的In組分，由于InGaAs阱層的折射率隨著In組分的升高而增加，進而能夠?qū)Π雽?dǎo)體激光器的光場限制，使得半導(dǎo)體激光器的發(fā)光點位置偏向襯底側(cè)，有效降低半導(dǎo)體激光器的發(fā)散角。