等離子體刻蝕方法及垂直腔面發(fā)射激光器制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910508459.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110176398A 公開（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN110176398A 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類號(hào) H01L21/311;H01S5/183;C09K13/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張鵬;許聰基;賴銘智 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州長瑞光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊楠
地址 215024 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇虹東路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕方法，用于消除砷化鎵基體表面鈍化層，所述鈍化層包含氧化鋁層，使用碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體。針對(duì)GaAs基體表面鈍化層中氧化鋁膜的刻蝕難題，本發(fā)明人通過大量研究實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)以碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體來進(jìn)行砷化鎵基體表面氧化鋁鈍化層的刻蝕，既能快速有效地消除包含氧化鋁的鈍化層，又不會(huì)對(duì)砷化鎵基體造成損傷。本發(fā)明還公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法。本發(fā)明創(chuàng)新性地提出用碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體來進(jìn)行砷化鎵基體表面氧化鋁鈍化層的刻蝕，既能快速有效地消除包含氧化鋁的鈍化層，又不會(huì)對(duì)GaAs基體造成損傷，保證了半導(dǎo)體制造工藝的可靠性和穩(wěn)定性。