一種III-V族半導(dǎo)體晶圓的退火方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910520019.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110197790B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN110197790B 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類(lèi)號(hào) H01L21/324（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭海俠;薛金鵬;周翔翔;陳艷法 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州長(zhǎng)瑞光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊楠
地址 215024江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇虹東路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種III?V族半導(dǎo)體晶圓的退火方法，在退火過(guò)程的升溫階段，當(dāng)溫度升至溫度范圍在300℃～350℃的第一溫度時(shí)，以30℃/min～50℃/min的降溫速率進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)1min的降溫，然后再繼續(xù)升溫；在退火過(guò)程的降溫階段，當(dāng)溫度降至溫度范圍在250℃～300℃的第二溫度時(shí)，以40℃/min～50℃/min的升溫速率，進(jìn)行時(shí)間不超過(guò)1min的升溫，然后再繼續(xù)降溫。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可大幅降低晶圓退火制程中的破損率，從而有效提高產(chǎn)品良率。