等離子體刻蝕方法及垂直腔面發(fā)射激光器制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910508459.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110176398B 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN110176398B 申請公布日 2021-06-22
分類號 H01L21/311;H01S5/183;C09K13/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張鵬;許聰基;賴銘智 申請（專利權(quán)）人 蘇州長瑞光電有限公司
代理機構(gòu) 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊楠
地址 215024 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇虹東路388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕方法，用于消除砷化鎵基體表面鈍化層，所述鈍化層包含氧化鋁層，使用碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體。針對GaAs基體表面鈍化層中氧化鋁膜的刻蝕難題，本發(fā)明人通過大量研究實驗發(fā)現(xiàn)以碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體來進行砷化鎵基體表面氧化鋁鈍化層的刻蝕，既能快速有效地消除包含氧化鋁的鈍化層，又不會對砷化鎵基體造成損傷。本發(fā)明還公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法。本發(fā)明創(chuàng)新性地提出用碳基氟化物氣體作為刻蝕氣體來進行砷化鎵基體表面氧化鋁鈍化層的刻蝕，既能快速有效地消除包含氧化鋁的鈍化層，又不會對GaAs基體造成損傷，保證了半導體制造工藝的可靠性和穩(wěn)定性。