垂直腔面發(fā)射激光器芯片篩選方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911163132.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110732503B 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN110732503B 申請公布日 2021-06-22
分類號 B07C5/344 分類 將固體從固體中分離；分選;
發(fā)明人 賴銘智;高逸群;向宇;許聰基;岳光禮 申請（專利權(quán)）人 蘇州長瑞光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊楠
地址 215024 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇虹東路388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片篩選方法。該方法包括對垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行老化篩選的步驟；在所述老化篩選之前，先對垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行預(yù)篩選，具體方法如下：用直流電流脈沖對垂直腔面發(fā)射激光器芯片進(jìn)行循環(huán)沖擊，并在沖擊完成后通過性能測試將失效芯片剔除；所述直流電流脈沖的電流大小為Ith+S，脈沖寬度為50ms～200ms，Ith為所述垂直腔面發(fā)射激光器芯片的閾值電流，S的取值范圍為20mA～40 mA。本發(fā)明還公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片篩選裝置。本發(fā)明可有效剔除現(xiàn)有技術(shù)難以完全剔除的存在芯片量子阱區(qū)域內(nèi)的黑色線缺陷和氧化層裂紋缺陷的不良芯片，從而大幅降低老化篩選的漏篩率并提高老化篩選的效率。