光傳感半導(dǎo)體單元和光傳感半導(dǎo)體陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910004799.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109904271B 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109904271B 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H01L31/10（2006.01）I;H01L27/144（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宇思洋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李艷麗
地址 518000廣東省深圳市龍華新區(qū)民治街道上芬社區(qū)工業(yè)西路與勤芬路交匯處上塘商業(yè)大廈218
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種光傳感半導(dǎo)體單元，包括：襯底；位于所述襯底之上的第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；位于所述第一摻雜區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；位于所述第二摻雜區(qū)之上的第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；及用于隔離所述第一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)。形成兩個(gè)耗盡區(qū)，打入到這兩個(gè)耗盡區(qū)的光生載流子才能被內(nèi)建電場(chǎng)掃出，形成光導(dǎo)電流效應(yīng)。兩個(gè)耗盡區(qū)的設(shè)計(jì)比傳統(tǒng)二極管一個(gè)耗盡區(qū)設(shè)計(jì)在吸收光生載流子的效率上大幅度提高；其次在兩個(gè)耗盡區(qū)之外實(shí)施特定偏置電壓，能夠把兩個(gè)耗盡擴(kuò)展區(qū)特定的最大化擴(kuò)展，但不形成穿通效應(yīng)，這樣可以形成不同電壓和光生載流子吸收效率數(shù)據(jù)信息，這能夠提高光分辨靈敏度。