半導體器件及其單元、電路結(jié)構(gòu)及其單元、電路系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710212966.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107424990B | 公開(公告)日 | 2019-03-22 |
申請公布號 | CN107424990B | 申請公布日 | 2019-03-22 |
分類號 | H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 宇思洋 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司 |
地址 | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)華強北路長盛大廈13層1322室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導體器件單元、半導體器件、電路結(jié)構(gòu)單元、電路結(jié)構(gòu)和電路系統(tǒng)。半導體器件單元包括:襯底;位于所述襯底中的第一導電類型的第一摻雜區(qū);位于所述襯底中的第二導電類型的第二摻雜區(qū);位于所述襯底中的第二導電類型的第三摻雜區(qū);隔離結(jié)構(gòu),其用于隔離所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)以及所述第一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū);在所述襯底中依次位于所述第三摻雜區(qū)下方的第一導電類型的第四摻雜區(qū)和第二導電類型的第五摻雜區(qū);以及在所述襯底中位于所述第一、第二和第五摻雜區(qū)下方的第二導電類型的阱;以及與所述第二摻雜區(qū)串聯(lián)連接的n個二極管,其中n為大于等于0的整數(shù)。 |
