光傳感半導(dǎo)體單元、光傳感半導(dǎo)體陣列及光感應(yīng)系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910004530.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109904260B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-06-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109904260B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-06-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0352(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宇思洋 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華新區(qū)民治街道上芬社區(qū)工業(yè)西路與勤芬路交匯處上塘商業(yè)大廈218 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種光傳感半導(dǎo)體單元，包括：具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；位于所述襯底之上的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)；位于所述第一摻雜區(qū)之上的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)；位于所述第二摻雜區(qū)之上的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第四摻雜區(qū)；及用于隔離所述第一摻雜區(qū)和所述第四摻雜區(qū)，以及隔離所述第三摻雜區(qū)和所述第四摻雜區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)。兩個(gè)耗盡區(qū)的設(shè)計(jì)比傳統(tǒng)二極管一個(gè)耗盡區(qū)設(shè)計(jì)在吸收光生載流子的效率上大幅度提高；其次在兩個(gè)耗盡區(qū)之外實(shí)施特定偏置電壓，能夠把兩個(gè)耗盡擴(kuò)展區(qū)特定的最大化擴(kuò)展，但不形成穿通效應(yīng)，這樣可以形成不同電壓和光生載流子吸收效率數(shù)據(jù)信息，這能夠提高光分辨靈敏度。?? |
