半導(dǎo)體器件及其單元、電路結(jié)構(gòu)及其單元、電路系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710212966.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107424990A 公開(kāi)（公告）日 2017-12-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN107424990A 申請(qǐng)公布日 2017-12-01
分類號(hào) H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宇思洋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路長(zhǎng)盛大廈13層1322室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件單元、半導(dǎo)體器件、電路結(jié)構(gòu)單元、電路結(jié)構(gòu)和電路系統(tǒng)。半導(dǎo)體器件單元包括：襯底；位于所述襯底中的第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；位于所述襯底中的第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；位于所述襯底中的第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；隔離結(jié)構(gòu)，其用于隔離所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)以及所述第一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)；在所述襯底中依次位于所述第三摻雜區(qū)下方的第一導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第五摻雜區(qū)；以及在所述襯底中位于所述第一、第二和第五摻雜區(qū)下方的第二導(dǎo)電類型的阱；以及與所述第二摻雜區(qū)串聯(lián)連接的n個(gè)二極管，其中n為大于等于0的整數(shù)。