半導體器件、電路組件及集成電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710211604.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107123640B 公開（公告）日 2019-07-09
申請公布號 CN107123640B 申請公布日 2019-07-09
分類號 H01L23/60（2006.01）I; H01L23/62（2006.01）I; H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宇思洋 申請（專利權(quán)）人 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市環(huán)宇鼎鑫科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)華強北路長盛大廈13層1322室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體器件、電路組件及集成電路。本發(fā)明提供了一種半導體器件，其包括：半導體襯底；位于半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)以及第二導電類型的第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)，其中第三摻雜區(qū)毗鄰第一摻雜區(qū)并且位于第一摻雜區(qū)下方，第四摻雜區(qū)毗鄰第二摻雜區(qū)并且位于第二摻雜區(qū)下方；隔離結(jié)構(gòu)，其配置成將第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)隔離；以及第二導電類型的阱，其半導體襯底中布置在第二摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)下方并且毗鄰第二摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)。