一種SOI體接觸器件及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711442683.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108231899B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108231899B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋雷 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都微光集電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址 | 201210 上海市浦東新區(qū)上海浦東張江高斯路497號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種SOI體接觸器件，自下而上依次包括襯底、絕緣埋層和有源區(qū)，所述有源區(qū)包括位于頂層硅中的源區(qū)、漏區(qū)、溝道、體接觸、溝槽隔離，以及位于頂層硅之上的柵氧化層和柵極；所述溝槽隔離呈環(huán)形且位于有源區(qū)的外圍，源區(qū)和漏區(qū)分別位于溝道的兩側(cè)，源區(qū)到漏區(qū)的方向?yàn)闇系婪较?；所述體接觸位于溝道的另外兩側(cè)，且兩個(gè)體接觸的連線垂直于溝道方向；所述溝道上方覆蓋柵氧化層Ⅱ，所述溝道和體接觸之間的空隙以及靠近該空隙的體接觸上覆蓋柵氧化層Ⅰ，且柵氧化層Ⅱ的厚度小于柵氧化層Ⅰ的厚度；柵氧化層Ⅰ和柵氧化層Ⅱ上沉積柵極。本發(fā)明提供的一種SOI體接觸器件及其制作方法，可以抑制柵致浮體效應(yīng)，并保證器件正常電學(xué)特性不受影響。 |
