一種陣列碳納米薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610326454.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107381539A 公開（公告）日 2017-11-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN107381539A 申請(qǐng)公布日 2017-11-24
分類號(hào) C01B32/162(2017.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 張偉;吉小超;于鶴龍;王紅美;杜軍;郭蕾 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京睿曼科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國(guó)人民解放軍裝甲兵工程學(xué)院;北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究有限公司
地址 100000 北京市豐臺(tái)區(qū)杜家坎21號(hào)再制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種陣列碳納米管薄膜的制備方法，包括以下步驟：將基底置于PECVD腔體中的金屬網(wǎng)罩中，金屬網(wǎng)罩上方放置依次疊加的兩塊催化劑金屬板；在PEVCD腔體中通入反應(yīng)氣體，加熱后接通電源，反應(yīng)后在基底表面得到催化劑薄膜；將PEVCD腔體加熱后通入碳源和載氣，接通電源，反應(yīng)后在基底表面得到陣列碳納米管薄膜。本申請(qǐng)催化劑薄膜和陣列碳納米管薄膜在同一PECVD腔體內(nèi)完成，且能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)制備，提高了陣列碳納米管薄膜制備的效率；另一方面，低溫制備使得陣列碳納米管薄膜能夠應(yīng)用于很多不耐高溫的領(lǐng)域。