一種復合薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610326908.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107385412A 公開（公告）日 2017-11-24
申請公布號 CN107385412A 申請公布日 2017-11-24
分類號 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張偉;吉小超;于鶴龍;王紅美;汪勇;杜軍;周新遠 申請（專利權）人 北京睿曼科技有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 中國人民解放軍裝甲兵工程學院;北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造產業(yè)技術研究有限公司
地址 100000 北京市豐臺區(qū)杜家坎21號再制造技術重點實驗室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種復合薄膜的制備方法，包括以下步驟：A)在基底表面制備金屬催化劑薄膜，將表面制備有金屬催化劑薄膜的基底再置于PECVD設備的反應腔體中，將所述反應腔體加熱，通入載氣與碳源氣體，接通電源，反應后得到陣列碳納米管薄膜；B)關閉電源，停止通入碳源氣體，向所述反應腔體中繼續(xù)通入載氣，接通電源對碳納米管薄膜進行刻蝕后關閉電源；C)將所述反應腔體冷卻，通入反應氣體后接通電源，反應后得到復合薄膜。本發(fā)明提供了一種原位復合薄膜的制備方法。該方法利用等離子體增強化學氣相沉積方法在基底上制備陣列的碳納米管薄膜，在此基礎上繼續(xù)制備所需要的薄膜，通過控制工藝，實現基體薄膜與碳納米管的復合。