放射性比活度測(cè)定方法及裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN99113984.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN1115571C | 公開(公告)日 | 2003-07-23 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN1115571C | 申請(qǐng)公布日 | 2003-07-23 |
分類號(hào) | G01T1/202 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 馮維恒;馮運(yùn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海伽瑪射線技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人 | 吳寶根;歐陽堅(jiān) |
地址 | 201108上海市老滬閔路3501號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及環(huán)境及建材中天然放射性比活度的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)定方法及裝置。測(cè)定方法步驟為:用能譜分析儀,分別測(cè)出QR、Qth、Qk及∑,當(dāng)Qk/QR≤2500時(shí),Kp=(∑-Qth/B-Qk/c)÷QR,當(dāng)Qk/QR>2500時(shí),Kp=(∑+QR/2-Qth/B-2Qk/c)÷QR;Qu、QR、Qth、Qk含量(10-6或g/T)換算成比活度(Bq·Kg-1);測(cè)定天然放射性核素的技術(shù)要素;采用飽和模型標(biāo)定;裝置由51系列高性能CMOS單片微處理器和其他電路組成了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。本發(fā)明能現(xiàn)場(chǎng)快速測(cè)定天然放射性比活度及報(bào)警。 |
