一種二維實時太赫茲近場成像方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910527755.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110440919A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN110440919A 申請公布日 2021-07-09
分類號 G01J3/44;G01N21/3581;G01V8/10 分類 測量；測試;
發(fā)明人 秦源;陳志文;李潤澤;林雅益;黃巍 申請（專利權(quán)）人 清遠市天之衡量子科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州容大專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 511500 廣東省清遠市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)創(chuàng)興大道18號天安智谷科技產(chǎn)業(yè)園產(chǎn)業(yè)大廈T0114層01號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種二維實時太赫茲近場成像方法及裝置，涉及光學(xué)成像技術(shù)領(lǐng)域，包括：產(chǎn)生多種激光和太赫茲場，利用所述多種激光與太赫茲場將原子從基態(tài)相干激發(fā)到里德堡態(tài)；將太赫茲場轉(zhuǎn)化為輻射出的熒光；通過EIT和AT分裂進行場強校準(zhǔn)；通過所述熒光探測所述太赫茲場的空間分布，以實現(xiàn)太赫茲成像；從而實現(xiàn)了從一維到二維、從需要用探針掃描耗時較長到實時成像，從較低分辨率到較高分辨率，實現(xiàn)了優(yōu)化太赫茲成像的目的，進而為太赫茲成像研究提供新技術(shù)基礎(chǔ)。