一種碳化硅功率器件封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111044356.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113782503A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113782503A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/467（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史聞;謝志峰;鄭翰鴻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 納芯半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京業(yè)騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 馬威
地址 322000浙江省金華市中國（浙江）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)金華市義烏市稠江街道楊村路300號(hào)A幢1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅功率器件封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，涉及碳化硅功率器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件的頂端設(shè)置有正電極，所述碳化硅功率器件的底端連接有副電機(jī)，所述副電機(jī)的底端安裝有散熱機(jī)構(gòu)，所述散熱機(jī)構(gòu)的底端設(shè)置有封裝基板。本發(fā)明通過設(shè)置碳化硅功率器件、散熱機(jī)構(gòu)、封裝基板、散熱器，散熱箱的底端與第二接觸面接觸，從而導(dǎo)致散熱箱內(nèi)部頂端與底端吸收的熱量不同，使得散熱箱底端的熱量通過導(dǎo)熱倉移動(dòng)至導(dǎo)熱桿內(nèi)部，最后移動(dòng)至回流倉內(nèi)部，使得熱量在散熱箱內(nèi)部移動(dòng)，加快熱量的發(fā)散，通過外部空氣的快速流動(dòng)，再加上散熱箱對(duì)合金散熱棒的快速吸熱，通過雙重散熱的方法達(dá)到快速散熱的目的。