縱向超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310717932.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103700697B 公開（公告）日 2016-05-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN103700697B 申請(qǐng)公布日 2016-05-25
分類號(hào) H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉俠;楊東林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安高新新興產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 西安西交通盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張震國
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號(hào)創(chuàng)新大廈MF6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明縱向超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管，包括從下到上依次設(shè)置的N型摻雜半導(dǎo)體襯底和N型摻雜外延層；N型摻雜外延層內(nèi)部由內(nèi)向外設(shè)有結(jié)構(gòu)相同的第一P型填充阱區(qū)和第二P型填充阱區(qū)，第一P型填充阱區(qū)的上側(cè)設(shè)有第一P型摻雜區(qū)；第二P型填充阱區(qū)上側(cè)從內(nèi)到向外設(shè)有第二P型摻雜區(qū)和P型摻雜等勢環(huán)，并且三者共同構(gòu)成終端耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)域T；第二P型摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)多個(gè)第二P型填充阱區(qū)設(shè)置；P型摻雜等勢環(huán)的寬度大于第二P型填充阱區(qū)的寬度，呈間隔布置的P型摻雜等勢環(huán)在晶體管的長度方向上分別一一對(duì)應(yīng)的平行設(shè)置在第二P型填充阱區(qū)的正上方；P型摻雜區(qū)內(nèi)設(shè)有N型摻雜區(qū)，并與第一P型填充阱區(qū)共同構(gòu)成原胞源極區(qū)域C；優(yōu)化了表面電勢分布。