晶圓漏電流測試方法、裝置、晶圓級測試儀及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110242095.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113009321A 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN113009321A 申請公布日 2021-06-22
分類號 G01R31/28 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李創(chuàng)鋒 申請（專利權(quán)）人 深圳市金泰克半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李雪鵑;杜亞明
地址 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值篱L方照明工業(yè)廠區(qū)廠房B一、四層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種晶圓漏電流測試方法、裝置、晶圓級測試儀及存儲介質(zhì)，所述方法應(yīng)用于晶圓，所述晶圓包括多個待測量單元，所述方法包括：獲取所述晶圓上每個所述待測量單元的漏電流；根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流中位數(shù)及漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值；根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值，獲取漏電流偏移量；根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流偏移量，獲取漏電流測量閾值；根據(jù)所述漏電流測量閾值篩選所述待測量單元。本申請實(shí)施例提高晶圓中芯片篩選的準(zhǔn)確性和覆蓋率，提升芯片的可靠性，降低芯片使用過程中的不良率。