一種用于真空等離子體設(shè)備的勻氣環(huán)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020567761.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212010899U | 公開（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212010899U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-24 |
| 分類號(hào) | H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭帆;漆宏俊;夏歡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海稷以科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200240上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)戊樓4026室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種用于真空等離子體設(shè)備的勻氣環(huán)，包括等離子體區(qū)域、氣體噴淋盤、上腔體、下腔體和下電極，所述氣體噴淋盤和下電極之間為等離子體區(qū)域，等離子體區(qū)域的一側(cè)設(shè)有上腔體和下腔體，下電極和下腔體之間設(shè)有排氣環(huán)，其特征在于，所述下腔體與排氣環(huán)之間設(shè)有排氣通道，本實(shí)用新型提出的排氣環(huán)與下電極之間配合形成的排氣通道可以具有更大的深寬比（大于15：1至40:1），而且排氣通道入口與上下電極之間形成的電場(chǎng)方形垂直，具有更好的等離子體隔離效果，最終形成更高的等離子體濃度，實(shí)現(xiàn)更快的樣品表面等離子處理或刻蝕速度。?? |
