一種用于提高晶圓刻蝕均勻性的氣體擋板
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022402967.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN213026060U | 公開(公告)日 | 2021-04-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN213026060U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
分類號(hào) | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李鑫;張鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海稷以科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 200240上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)戊樓4026室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種用于提高晶圓刻蝕均勻性的氣體擋板,包括圓形板體,所述圓形板體上由中心向四周設(shè)為中心區(qū)域、實(shí)心區(qū)域和外圍區(qū)域,所述中心區(qū)域設(shè)有兩圈中部通孔,整體呈環(huán)形;所述外圍區(qū)域均勻分布有外圍通孔;所述實(shí)心區(qū)域位于中心區(qū)域和外圍區(qū)域之間;所述圓形板體邊沿設(shè)有固定孔。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型很好地解決了射頻等離子刻蝕問題中,襯底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域和樣品刻蝕均勻性存在差異的問題,提高了等離子體刻蝕的均勻性。?? |
