含有空腔的多層絕緣體上的硅晶圓及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110956353.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113838795A 公開（公告）日 2021-12-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113838795A 申請(qǐng)公布日 2021-12-24
分類號(hào) H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周志健;余倫宙 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 慧石（上海）測(cè)控科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳國新南方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 周雷
地址 200000上海市青浦區(qū)華紡路99號(hào)99弄6幢3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種含有空腔的多層絕緣體上的硅晶圓，包括晶圓，所述晶圓包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述晶圓內(nèi)部設(shè)有腔體部；所述腔體部包括第一腔體部和第二腔體部，所述第一腔體部為設(shè)置在所述晶圓的第一表面和第二表面之間的空腔；所述第二腔體部為連通所述第一表面和第一腔體部的通道。所述腔體部的內(nèi)壁上設(shè)有第一絕緣層，在所述第二腔體部中設(shè)有第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層將所述通道完全填充。在所述第一腔體部和所述第一表面之間設(shè)有第二絕緣層。還提供一種制備上述含有空腔的多層絕緣體上的硅晶圓的制備方法。本發(fā)明提供的含有空腔的多層絕緣體上的硅晶圓及其制備方法有效降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率，簡(jiǎn)化了制備流程。