一種UTG-QD板及其應(yīng)用、制備方法和光學(xué)架構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111247645.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113703082A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113703082A 申請公布日 2021-11-26
分類號 G02B5/02（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 晏東;張錫強 申請（專利權(quán)）人 拓米（成都）應(yīng)用技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小彬
地址 610000四川省成都市郫都區(qū)德源鎮(zhèn)（菁蓉鎮(zhèn)）創(chuàng)客公園二期7號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種UTG?QD板及其應(yīng)用、制備方法和光學(xué)架構(gòu)，主要解決現(xiàn)有技術(shù)光學(xué)利用率低的技術(shù)問題。UTG?QD板包括UTG基板和QD量子點層，其主要應(yīng)用于制備光擴散板中。制備方法主要為在UTG基板上構(gòu)建微米級凹槽后依次涂布QD量子點層和擴散層，再在擴散層上通過OC膠粘合透明阻隔膜層以保護QD量子點的穩(wěn)定性。光學(xué)架構(gòu)主要是在UTG?QD板外表面依次貼覆增光膜層和擴散膜層，再用鎖合件將UTG?QD板、增光膜層和擴散膜層鎖合成光學(xué)架構(gòu)。本發(fā)明設(shè)計科學(xué)，構(gòu)思巧妙，通過在UTG表面構(gòu)造微米級凹槽，再直接在UTG表面均勻涂布QD量子點，在提升QD量子點的附著力的同時，也提升了QD量子點的發(fā)光效率。