一種直拉法單晶爐用雙面式導流筒支撐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201720069088.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN206502890U | 公開(公告)日 | 2017-09-19 |
申請公布號 | CN206502890U | 申請公布日 | 2017-09-19 |
分類號 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 楊鑫 | 申請(專利權(quán))人 | 陜西西京電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 710065 陜西省西安市雁塔區(qū)電子城電子西街3號502廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型具體公開了一種直拉法單晶爐用雙面式導流筒支撐,包括導流筒支撐本體,該導流筒支撐本體包括第一面和第二面,所述第一面由外向內(nèi)依次設(shè)置有上保溫筒定位槽、上導流筒定位環(huán)槽,所述上導流筒定位環(huán)槽處設(shè)置有上導流筒入口,所述第二面由外向內(nèi)依次設(shè)置有下保溫筒定位槽、下導流筒定位環(huán)槽,所述下導流筒定位環(huán)槽處設(shè)置有下導流筒入口。該雙面式導流筒支撐在使用時,先按照第一面安裝使用,當導流筒支撐在使用過程中發(fā)生崩邊現(xiàn)象時,將導流筒支撐上下顛倒安裝使用,即可避免由于邊緣崩邊而導致的崩邊物質(zhì)掉入熔硅而對生產(chǎn)帶來的影響,同時解決了發(fā)生崩邊現(xiàn)象后導流筒支撐無法繼續(xù)使用的問題。 |
