一種類(lèi)單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710583583.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108396376A 公開(kāi)（公告）日 2018-08-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN108396376A 申請(qǐng)公布日 2018-08-14
分類(lèi)號(hào) C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陶亞明;李書(shū)森;黃興;郭櫻花;唐前 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 陜西西京電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710000 陜西省西安市雁塔區(qū)電子城電子西街3號(hào)502廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種類(lèi)單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法。該制備方法采用類(lèi)單晶工藝和高校多晶工藝混合使用，使類(lèi)單晶少晶界，高效多晶少位錯(cuò)、少界面能的特點(diǎn)進(jìn)行有效融合，最大效率的減少晶界和位錯(cuò)的影響，提高整錠的光電轉(zhuǎn)換效率。