籽晶托

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111404931.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114086246A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114086246A 申請公布日 2022-02-25
分類號 C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李遠(yuǎn)田;陳俊宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 花麗
地址 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種籽晶托，所述籽晶托包括：中心部和環(huán)繞組件，環(huán)繞組件包括多個依次套設(shè)的環(huán)形部，位于中心的環(huán)形部為內(nèi)環(huán)形部，位于最外側(cè)的環(huán)形部為外環(huán)形部，內(nèi)環(huán)形部套設(shè)在中心部上，沿環(huán)繞組件徑向向外的方向上，相鄰的兩個環(huán)形部中的位于內(nèi)側(cè)的環(huán)形部的熱導(dǎo)系數(shù)大于位于外側(cè)的環(huán)形部的熱導(dǎo)系數(shù)，內(nèi)環(huán)形部的熱導(dǎo)系數(shù)小于中心部的熱導(dǎo)系數(shù)，中心部的軸向一端的端面和環(huán)繞組件的同一軸向一端的端面共同形成籽晶承載面。根據(jù)本發(fā)明的籽晶托，沿徑向向外的方向上，通過將籽晶托的熱導(dǎo)系數(shù)依次降低，從而可以調(diào)節(jié)籽晶表面溫場，使籽晶的生長速率變?yōu)榭煽刂谱兞?，提高晶體質(zhì)量。