單晶碳化硅制備裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111447889.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114108095A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114108095A 申請公布日 2022-03-01
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李遠田;陳俊宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇集芯半導體硅材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶碳化硅制備裝置，所述單晶碳化硅制備裝置包括：第一加熱爐、第一加熱器、籽晶夾持器、第二加熱爐和第二加熱器，第一加熱爐具有生長腔，第一加熱器用于加熱生長腔，第一加熱爐的底部形成有與生長腔連通的第一氣體通道；籽晶夾持器設于生長腔內(nèi)，籽晶夾持器包括：安裝件和設于安裝件上的至少兩個籽晶夾具，籽晶夾具用于安裝籽晶，且籽晶夾持器構(gòu)造成使籽晶在生長腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)；第二加熱爐設于第一加熱爐的下方且具有物料腔，根據(jù)本發(fā)明的單晶碳化硅制備裝置，通過設置至少具有兩個籽晶夾具的籽晶夾持器，每個籽晶夾具上的籽晶均可以用于生長單晶碳化硅，即多個單晶碳化硅可以在多個籽晶上同時生長，進而提高單晶碳化硅的制備效率。