坩堝組件和具有其的單晶生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111448447.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114134571A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114134571A 申請公布日 2022-03-04
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 燕靖;陳俊宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種坩堝組件和具有其的單晶生長裝置，坩堝組件具有內(nèi)外間隔且連通的第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)，第二腔室用于盛放原料，第一腔室內(nèi)用于放置籽晶，坩堝組件具有與第一腔室連通的進氣口和出氣口，進氣口適于通入惰性氣體以帶動第二腔室內(nèi)的原料受熱產(chǎn)生的氣體進入第一腔室并在籽晶上沉積，出氣口適于將過剩氣體排出。根據(jù)本發(fā)明的坩堝組件，原料受熱更加均勻，升華效果更好，此外，當(dāng)碳化硅氣體從第二腔室進入第一腔室后，可以防止部分碳化硅氣體沉積在第一腔室的腔壁上，以使更多的碳化硅氣體附著到籽晶上，有助于節(jié)約原料。