碳化硅晶體生長裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111448112.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114059156A 公開（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114059156A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 燕靖;陳俊宏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長裝置，包括：坩堝組件，坩堝組件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)，第二腔室適于盛放原料，第一腔室的底部設(shè)有籽晶，坩堝組件具有進(jìn)氣口、出氣口和進(jìn)氣通道，進(jìn)氣口和出氣口均與第一腔室連通，進(jìn)氣通道的進(jìn)氣端位于坩堝組件外，進(jìn)氣通道貫穿第二腔室，進(jìn)氣通道的出氣端與第一腔室連通，進(jìn)氣通道與第二腔室連通且連通處位于進(jìn)氣通道的進(jìn)氣端和出氣端之間，進(jìn)氣通道和進(jìn)氣口用于吹入惰性氣體以驅(qū)動(dòng)第二腔室內(nèi)的原料受熱產(chǎn)生的氣體從第二腔室進(jìn)入第一腔室并在籽晶上沉積，出氣口用于排出過剩氣體。根據(jù)本發(fā)明的碳化硅晶體生長裝置，有利于減少籽晶生長界面的應(yīng)力，從而減少碳化硅晶體的缺陷。