坩堝組件和具有其的單晶生長(zhǎng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111448221.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114108078A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114108078A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 喬帥帥;陳俊宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 趙麗婷 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種坩堝組件和具有其的單晶生長(zhǎng)裝置，所述坩堝組件包括：坩堝；導(dǎo)流裝置，導(dǎo)流裝置將坩堝的內(nèi)腔分隔為位于第一腔室和第二腔室，第一腔室適于放置籽晶，第一腔室的腔壁上形成有出氣口，第二腔室適于放置原料，第二腔室的腔壁形成有進(jìn)氣口，導(dǎo)流裝置的內(nèi)側(cè)限定導(dǎo)流通道，導(dǎo)流通道與籽晶沿上下方向相對(duì)且同軸設(shè)置，導(dǎo)流通道包括從下至上依次連接的第一通道、第二通道及第三通道，第一通道遠(yuǎn)離第二通道的一側(cè)與第二腔室連通，第三通道遠(yuǎn)離第二通道的一端與第一腔室連通，第二通道的內(nèi)徑不大于籽晶的直徑。根據(jù)本發(fā)明的坩堝組件，有利于籽晶形成平整或微凸的生長(zhǎng)界面，從而提高晶體品質(zhì)。 |
