碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111446990.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114108094A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114108094A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 燕靖;陳俊宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 趙麗婷 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，包括：坩堝組件，坩堝組件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)，第二腔室適于盛放原料，第一腔室適于放置籽晶，坩堝組件具有進(jìn)氣口、出氣口和進(jìn)氣通道，進(jìn)氣口和出氣口均與第一腔室連通，進(jìn)氣通道的進(jìn)氣端位于第一腔室外，進(jìn)氣通道的出氣端與第二腔室連通，進(jìn)氣通道適于通入含有氣態(tài)釩化合物的混合氣，進(jìn)氣口適于通入含有還原性氣體的吹掃氣，原料升華產(chǎn)生的碳化硅氣體適于在混合氣和吹掃氣的驅(qū)動(dòng)下從第二腔室進(jìn)入第一腔室并在籽晶上沉積，出氣口用于排出過(guò)剩氣體。根據(jù)本發(fā)明的碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，在實(shí)現(xiàn)利用釩補(bǔ)償?shù)?、硼制備碳化硅晶體的同時(shí)避免晶體中出現(xiàn)硅摻雜物，節(jié)約原料。 |
