碳化硅晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111448965.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114108096A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114108096A 申請公布日 2022-03-01
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 燕靖;陳俊宏 申請（專利權(quán)）人 江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)軟件園E1樓669室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長裝置，包括：坩堝組件，所述坩堝組件具有容納腔，所述容納腔適于放置原料和籽晶，所述坩堝組件具有進氣口、出氣口和進氣通道，所述進氣口和所述出氣口均與所述容納腔連通，所述進氣通道的進氣端位于所述容納腔外，所述進氣通道的出氣端埋入所述原料內(nèi)，所述進氣通道適于通入含有氣態(tài)釩化合物的混合氣，所述進氣口適于通入含有還原性氣體的吹掃氣，所述原料受熱升華產(chǎn)生的碳化硅氣體適于在所述混合氣和所述吹掃氣的驅(qū)動下傳輸至所述籽晶表面沉積，所述出氣口用于排出過剩氣體。根據(jù)本發(fā)明的碳化硅晶體生長裝置，可以避免碳化硅晶體純度下降，并且在長晶過程中，易于控制晶體品質(zhì)。