半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、肖特基二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020602776.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212084944U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212084944U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-04 |
| 分類號(hào) | H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;袁根如;張楠;陳朋;馬艷紅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201209上海市浦東新區(qū)川沙路151號(hào)3幢T1046室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、肖特基二極管，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：生長(zhǎng)基底，所述生長(zhǎng)基底中形成有若干個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)；第一N型氮化鎵層，填充于所述凹槽結(jié)構(gòu)中并延伸至所述凹槽結(jié)構(gòu)周圍的所述生長(zhǎng)基底上；以及第二N型氮化鎵層，形成于所述第一N型氮化鎵層上，且所述第二N型氮化鎵層的摻雜濃度低于所述第一N型氮化鎵層的摻雜濃度。本實(shí)用新型在生長(zhǎng)基底上進(jìn)行側(cè)向外延生長(zhǎng)形成第一N型氮化鎵層，可以提高氮化鎵晶體質(zhì)量，提高表面平整度，減少晶體缺陷，制作垂直結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，有利于承受較大的電流及電壓，另外，設(shè)置陰陽(yáng)電極上下平行錯(cuò)開(kāi)，有利于避免兩電極直接對(duì)沖擊穿芯片，提高氮化鎵肖特基二極管的耐壓特性與降低其漏電流。?? |
