氮化鎵肖特基二極管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010960821.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112038396A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112038396A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/872 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;袁根如;張楠 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)3號(hào)樓507-2室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵肖特基二極管及其制備方法，通過(guò)MOCVD法形成錐形氮化鎵層凸起及氮化鎵層，錐形氮化鎵層凸起的摻雜濃度大于氮化鎵層，且錐形氮化鎵層凸起與氮化鎵層形成缺陷合攏區(qū)，使得缺陷集中化；在采用腐蝕液剝離生長(zhǎng)襯底的過(guò)程中可在缺陷合攏區(qū)形成凹槽，通過(guò)絕緣層的填充形成缺陷隔離結(jié)構(gòu)，使得缺陷鈍化，且缺陷合攏區(qū)在垂向上的投影完全位于缺陷隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)，從而在垂向上通過(guò)缺陷隔離結(jié)構(gòu)切斷載流子的傳輸路徑；進(jìn)一步的，錐形氮化鎵層凸起可將載流子聚集到錐頂進(jìn)行傳輸，使得電流導(dǎo)流，且可避開(kāi)載流子從邊緣缺陷合攏區(qū)通過(guò)；本發(fā)明可獲得高耐壓及具有良好防漏電特性的氮化鎵肖特基二極管，從而可提高器件性能。 |
