含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011405574.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112490116A | 公開（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112490116A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號(hào) | H01L29/20(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;袁根如;馬艷紅;張楠;陳朋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 余明偉 |
| 地址 | 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)3號(hào)樓507-2室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件及制備方法，包括在襯底中心區(qū)域上形成緩沖層，在襯底邊緣區(qū)域留有空白區(qū)域，基于含Al氮化物層和襯底之間的較大的晶格失配，易形成多晶材料，可充分釋放生長含Al氮化物層的應(yīng)力，降低裂紋向中心區(qū)域的含Al氮化物層延伸的概率；緩沖層表面的緩沖層島狀結(jié)構(gòu)，可進(jìn)一步的釋放緩沖層上生長含Al氮化物層的應(yīng)力，以及有利于含Al氮化物層外延并生長出高質(zhì)量的含Al氮化物層；在將緩沖層進(jìn)行圖形化后，外延生長含Al氮化物層時(shí)可進(jìn)行側(cè)向生長，從而可進(jìn)一步提高含Al氮化物層的晶體質(zhì)量。本發(fā)明可解決含Al氮化物層的裂紋問題，且可提高晶體質(zhì)量，提高產(chǎn)品性能和良率。?? |
