含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022873594.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN214043599U 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號(hào) CN214043599U 申請公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;袁根如;馬艷紅;張楠;陳朋 申請（專利權(quán)）人 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)3號(hào)樓507-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件，包括襯底、緩沖層及氮化鋁層，在襯底中心區(qū)域上形成緩沖層，在襯底邊緣區(qū)域留有空白區(qū)域，基于含Al氮化物層和襯底之間的較大的晶格失配，易形成多晶材料，可充分釋放生長含Al氮化物層的應(yīng)力，降低裂紋向中心區(qū)域的含Al氮化物層延伸的概率；緩沖層表面的緩沖層島狀結(jié)構(gòu)，可進(jìn)一步的釋放緩沖層上生長含Al氮化物層的應(yīng)力，以及有利于含Al氮化物層外延并生長出高質(zhì)量的含Al氮化物層；在將緩沖層進(jìn)行圖形化后，外延生長含Al氮化物層時(shí)可進(jìn)行側(cè)向生長，從而可進(jìn)一步提高含Al氮化物層的晶體質(zhì)量。本實(shí)用新型可解決含Al氮化物層的裂紋問題，且可提高晶體質(zhì)量，提高產(chǎn)品性能和良率。