垂直LED芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110691417.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113284990A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN113284990A 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;張楠;陳朋;袁根如;馬艷紅 申請（專利權(quán)）人 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號3號樓507-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直LED芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法。制備方法包括步驟：提供生長襯底，形成外延層；于外延層中形成多個間隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N電極金屬層；形成N電極絕緣層；形成P電極金屬層以覆蓋P型GaN層及N電極絕緣層；將P電極金屬層與支撐襯底鍵合；去除生長襯底；于N型GaN層的表面形成表面絕緣層；于表面絕緣層中形成多個間隔分布的第二凹槽，第二凹槽顯露出N型GaN層，第一凹槽和第二凹槽上下對應(yīng)；形成第二N電極金屬層，第二N電極金屬層填充第二凹槽，且各第二凹槽內(nèi)的第二N電極金屬層相互電連接。本發(fā)明可以有效減少芯片擊穿現(xiàn)象，減少絕緣層產(chǎn)生裂紋的現(xiàn)象，能顯著減少芯片漏電現(xiàn)象，提高芯片的穩(wěn)定性和可靠性。