氮化鎵肖特基二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202022001367.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212542440U | 公開（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申請公布號 | CN212542440U | 申請公布日 | 2021-02-12 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;袁根如;張楠 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 余明偉 |
| 地址 | 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號3號樓507-2室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種氮化鎵肖特基二極管，包括錐形氮化鎵層凸起、氮化鎵層及缺陷隔離結(jié)構(gòu)，氮化鎵層覆蓋錐形氮化鎵層凸起，錐形氮化鎵層凸起的摻雜濃度大于氮化鎵層，且錐形氮化鎵層凸起與氮化鎵層形成有缺陷合攏區(qū)，氮化鎵層覆蓋缺陷隔離結(jié)構(gòu)，缺陷合攏區(qū)在垂向上的投影完全位于缺陷隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)，且缺陷隔離結(jié)構(gòu)與錐形氮化鎵層凸起交替排布。本實(shí)用新型使得缺陷集中化、缺陷鈍化，且在垂向上切斷載流子的傳輸路徑；進(jìn)一步的，錐形氮化鎵層凸起可將載流子聚集到錐頂進(jìn)行傳輸，使得電流導(dǎo)流，且可避開載流子從邊緣缺陷合攏區(qū)通過，本實(shí)用新型可獲得高耐壓及具有良好防漏電特性的氮化鎵肖特基二極管，從而可提高器件性能。?? |
