薄膜結(jié)構(gòu)半導體器件光電隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910142308.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111613703A | 公開（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申請公布號 | CN111613703A | 申請公布日 | 2020-09-01 |
| 分類號 | H01L33/20(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;張楠;袁根如 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海芯元基半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 上海芯元基半導體科技有限公司 |
| 地址 | 201209上海市浦東新區(qū)川沙路151號3幢T1046室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種薄膜結(jié)構(gòu)半導體器件光電隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括如下步驟：1)提供生長基板；于生長基板表面形成半導體發(fā)光材料層；2)于半導體發(fā)光材料層的表面形成環(huán)形溝槽；3)于環(huán)形溝槽的底部及側(cè)壁形成光電隔離層；4)于半導體發(fā)光材料層的表面形成歐姆接觸層；5)于歐姆接觸層的表面及光電隔離層的表面形成反射鏡層；6)于半導體發(fā)光材料層的表面形成金屬鍵合層；7)提供鍵合基板，將步驟6)所得結(jié)構(gòu)鍵合于鍵合基板的表面，并去除生長基板；8)去除部分半導體發(fā)光材料層；9)于半導體發(fā)光材料層的表面形成電極。本發(fā)明可以實現(xiàn)電極等金屬層之間的電隔離及各芯片之間的光隔離。?? |
