氮化鎵半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110549559.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113299736A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299736A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;袁根如;張楠;陳朋;馬艷紅 申請（專利權(quán)）人 上海芯元基半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)祥科路111號3號樓507-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氮化鎵半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括氮化鎵層、溝槽屏蔽結(jié)構(gòu)、第一金屬層及第二金屬層。本發(fā)明通過在復合圖形襯底上形成氮化鎵層，生長過程中可以進一步減少位錯密度并能夠?qū)⑽诲e集中到某一特定區(qū)域以形成缺陷合攏區(qū)，而其他生長區(qū)域形成的氮化鎵材料幾乎沒有位錯缺陷，之后在缺陷合攏區(qū)上形成溝槽及絕緣阻擋層，其中，絕緣阻擋層可阻擋電極金屬和雜質(zhì)金屬元素擴散到位錯中，從而無法形成漏電通道，且歐姆接觸區(qū)域或肖特基接觸區(qū)域下面的氮化鎵層沒有位錯，從而提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。本發(fā)明可獲得高質(zhì)量的氮化鎵晶體，且通過溝槽屏蔽結(jié)構(gòu)可制作出能夠承受大電流和大電壓的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)，從而可提高器件性能。